Про этот эффект я не знал, про него рассказал neon в ветке о UTC 4.0 (в которую всех и приглашаю). Ссори, что в этот раз не в видео формате, не хватает времени

На рисунке – эквивалентная схема MOSFET транзистора со всеми паразитными компонентами.

Суть эффекта сводится к тому, что когда изменяется напряжение сток-исток (оно-же drain-source, ds) на MOSFET-транзисторе, через конденсатор Cds начинает течь ток.

Этот ток создает напряжение на базе паразитного биполярного транзистора. И, если это напряжение превышает пороговую величину (тех-же 0.6В), то транзистор открывается и начинает сквозить покруче, чем сам полевой транзистор.

Конечно, как только паразитный транзистор приоткрывается, скорость изменения напряжения уменьшается. Но это не помогает – биполярный транзистор закрывается очень медленно и на нем выделяется много тепла.

В итоге, транзистор умирает из-за перегрева кристалла.

Этот эффект описан в конце этой и начале этой статьи от semikron.

Там упоминается Figure 1.3, но я нашел эту картинку под названием Figure 2.4.16 вот тут. Этак картинка – в заголовке статьи.

В даташитах предельную скорость нарастания напряжения называют dv/dt или “Peak Diode Recovery voltage slope”:

 Защита от этого эффекта:

• не давать скорости нарастания превышать порог (затворными резисторами, снабберами, выбором транзисторов)
• (как по мне, очень сомнительный вариант) — не опускать напряжение на затворе ниже нуля. При этом эффект Миллера будет приоткрывать “полевую” часть транзистора и она будет уменьшать dv/dt до приемлемого уровня. Это лучше, чем открытие паразитного транзистора, но, все равно, сквозняк.